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          1. 臺積電2nm工藝重大突破:延續摩爾定律 朝著1nm挺進

            發布時間:2020-11-19    來源:中關村在線    瀏覽量:0

            如今5nm才剛剛起步,臺積電的技術儲備就已經緊張到了2nm,并朝著1nm邁進。根據最新報道,臺積電已經在2nm工藝上取得一項重大的內部突破,雖未披露細節,但是據此樂觀預計,2nm工藝有望在2023年下半年進行風險性試產,2024年就能步入量產階段。

            臺積電2nm工藝重大突破:延續摩爾定律 朝著1nm挺進
            臺積電2nm工藝重大突破

            臺積電還表示,2nm的突破將再次拉大與競爭對手的差距,同時延續摩爾定律,繼續挺進1nm工藝的研發。預計,蘋果、高通、NVIDIA、AMD等客戶都有望率先采納其2nm工藝,此前關于摩爾定律已經失效的結論或許就要被臺積電再次打破了。

            臺積電2nm工藝重大突破:延續摩爾定律 朝著1nm挺進
            臺積電2nm工藝重大突破

            2nm工藝上,臺積電將放棄延續多年的FinFET(鰭式場效應晶體管),甚至不使用三星規劃在3nm工藝上使用的GAAFET(環繞柵極場效應晶體管),也就是納米線(nanowire),而是將其拓展成為“MBCFET”(多橋通道場效應晶體管),也就是納米片(nanosheet)。

            從GAAFET到MBCFET,從納米線到納米片,可以視為從二維到三維的躍進,能夠大大改進電路控制,降低漏電率。新工藝的成本越發會成為天文數字,三星已經在5nm工藝研發上已經投入了大約4.8億美元,3nm GAAFET上會大大超過5億美元。


            責任編輯:蔣林佚

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